各人在GD32 MCU利用时，是否会际遇以下利用需要：但愿在MCU掉电时保留肯定的数据或标志，用以纪录一些关键的数据。

以GD32E103为例，数据的存储介质能够选择内部Flash或者备份数据寄放器。

如下图所示，片内Flash拥有10年的保留寿命，10万次擦写，页擦除功夫在3.5ms，字写入功夫在40us左右，Flash个性决定Flash必要先擦后写，擦写要求的电压领域为供电领域：1.8V-3.6V.

GD32 MCU根基都支持备份数据寄放器，GD32E103系列支持84字节数据寄放器，能够在VDD掉电，VBAT有电的情况下进行数据保留，备份数据寄放器不必要擦除能够直接写入，数据更新速度较快。

下面为各人介绍数据掉电保留的实现，电源掉电的检测能够选择使用LVD低压检测职能，如下图所示，LVD 的职能是检测 VDD / VDDA 供电电压是否低于低电压检测阈值，该阈值由电源节造寄放器（PMU_CTL） 中的 LVDT[2:0]位进行配置。 LVD 通过 LVDEN 置位使能，位于电源节造和状态寄放器（PMU_CS） 中的 LVDF 位暗示低电压事务是否出现，该事务衔接至 EXTI 的第 16 线，用户能够通过配置 EXTI 的第 16 线产生相应的中断。

使用LVD检测到掉电事务后，从LVD阈值到PDR电压之间会有一个功夫窗口，可用以实现掉电数据保留，这个功夫由掉电速度决定，因而对数据保留的功夫要求很高。若系统供电只有VDD供电，VBAT表部未接电池或者必要保留的数据比力多的情况下，能够选择使用内部Flash作为存储介质，为了节俭数据更新的功夫，能够选取双备份的方式，在系统运行的过程中，先擦除一个备份，检测到掉电事务后，节俭擦除功夫，直接向备份区域写入更新数据
；若系统供电VBAT表接了电池，且更新的数据幼于84字节，能够选择将数据写入备份数据寄放器，其更新速度更快。另表若是评估下来掉电功夫过快来不及更新数据的话，能够从硬件上减缓掉电速度，以预留更长的功夫窗口。